EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
半導体メモリ技術の動向を解説するシリーズの第2回です。
NANDフラッシュメモリのスケーリング（微細化および高密度化）に関する解説です。
NANDフラッシュメモリは記憶密度の向上を当初は微細化、すなわち加工寸法を短く細くすることによって実現してきました。
微細化の行き詰まりから、パラダイムシフトが起こります。
メモリセルの連なりを水平方向から、垂直方向へと転換したのです。
この3D NAND技術により、NANDフラッシュメモリは微細化に頼らずに、記憶密度の向上を進めることとなります。
詳しくは記事をお読みいただければ幸いです。
