EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。非シリコンチャンネルのシリーズ第3回です。インジウム・ガリウム・ヒ素（InGaAs）とⅢ-Ⅴ族化合物半導体を解説しております。 「次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料（3）〜…