Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

VLSIシンポジウムのリンク集

6月14〜17日に開催されたVLSIシンポジウム(京都)には残念ながら参加できませんでした。おさらいの意味でリンク集もどきを作りました。
しかし記事ありすぎ。解説記事がほとんどないのはまずいのでは。



VLSIシンポジウム - Intel、1.5GHz動作の組込プロセッサを発表
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/06/17/vlsi1/
XScaleと思われる。ARMV5TE。 90nm 1.5GHz。770mW(1.5GHz、1.3V)はなかなか。512Kバイト2次キャッシュを積んだとは〜うーむ。スタチック58mWはちょいと大きいかも。


【VLSI速報】Intel社,90nmルールを用いた1.5GHz動作のARM系マイクロプロセサを開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105878/
上の記事と同じ発表です。上を読めば、こちらは読まなくてもよいです。


VLSIシンポジウム - Samsung、マルチブリッジチャネルトランジスタで高性能を示す
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/06/16/vlsi2/


VLSIシンポジウム - IBM/AMD他、65ナノ開発状況--デュアルコアのダイフォトも
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/06/16/vlsi1/


VLSIシンポジウム - マルチゲートトランジスタSRAMやロジック回路を試作
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/06/15/vlsi1/



【VLSI続報】Samsung,バルクFinFETを視野に入れたフラッシュのロードマップを示す
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050621/105989/


【VLSI続報】フラッシュ,浮遊ゲートの延命技術と次世代MONOS/SONOSが相次ぐ
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050621/105988/


物理限界なんのその 誰もが一番乗りに強い自信【訂正あり】
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/TOPCOL_LEAF/20050620/105959/


【VLSI続報】電源電圧としきい電圧の双方制御する回路技術を開発,LongRun2をケータイに応用へ
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105975/


【VLSI続報】Samsung社,大型液晶パネル向けのインタフェース技術を開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105968/


【VLSI続報】Intel社,90nm標準CMOS技術で次世代無線LAN送受信LSIを試作
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105944/


【VLSI続報】SoC分野狙い,多種多様なDRAMが続出
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105943/


【VLSI続報】日立製作所,小型HDDに向けた書き込みヘッドの低消費電力化技術を開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105942/


【VLSI続報】行単位でSRAMセルの電源電圧を制御し,リーク電流を削減
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105941/


【VLSI続報】プラスチック基板にSiを張り付け,低雑音RF CMOSを実現
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105940/


【VLSI続報】韓国Samsung,マルチチャネルFinFET SRAMで驚嘆のデータ
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050620/105939/


【VLSI速報】FinFET型を先駆けるのはやはりフラッシュか,Samsungがhigh-k採用のNOR型セルを試作
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105927/


【VLSI速報】PRAMとMRAMのプログラム電流低減,FeRAMの薄膜化で進展
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105929/


【VLSI速報】スプレッド・スペクトラムPLL向け新技術を開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105926/


【VLSI速報】pMOSの電流駆動力をnMOS並みに向上,「ひずみGOI+SOI」で実現
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105928/


【VLSI速報】新規不揮発性メモリーの大容量化技術が進化
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105922/


【VLSI速報】半導体の永遠のテーマ「ばらつき」を徹底議論
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105919/


【VLSI速報】イメージ・センサーやバイオ・センサーが相次ぐ
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105918/


【VLSI速報】UWB会場は満席,ISSCCに続く技術進化に注目
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105914/


【VLSI速報】ハイエンド・プロセサはシンプルで伝統ある技術に回帰
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105912/


【VLSI速報】回路側も過去最多の参加者数,アジアが急増
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105910/


【VLSI速報】東芝ショットキーS/D技術で1世代分の性能向上を達成
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105908/


【VLSI速報】要素技術から統合プロセスまでhigh-k技術を網羅
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105906/


【VLSI速報】NiSi-FUSIゲートの微細化問題,ベルギーIMECが解決策示す
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105904/


【VLSI速報】最適の仕事関数目指し,メタル・ゲート材料の探索進む
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105901/


【VLSI速報】AG-AND型フラッシュEEPROMセルの書き込み時間が1/20に短縮
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105890/


【VLSI速報】40Gビット/秒の光通信向けチップが続々登場
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105880/
40Gビット/秒もCMOSで動いたのか・・・。シリコンCMOS恐るべし。


【VLSI速報】ダイナミック・レンジが100dBのカラーCMOS型固体撮像素子,東北大学が開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050617/105879/


【VLSI速報】Macronix社,SONOS型セル「PHINES」でNAND型市場を狙う
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050616/105853/


【VLSI速報】IBM社が65nmSOIプロセス技術の詳細を発表,65nm版Cellにも採用か
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050616/105850/


【VLSI速報】ノンクラシカルCMOSが急増,FinFET関連の発表は8件に
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050616/105841/


【VLSI速報】45nmアニールの本命はFLAかLSAか,現状ではLSAに軍配
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050615/105837/


【VLSI速報】大阪大学ら,Cat-CVDでpMOSのNBTI寿命を二ケタ改善
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050615/105824/


【VLSI速報】富士通研,45nm向けNi-FUSIゲートの仕事関数を広範囲に制御
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050615/105818/


【VLSI速報】Samsung社,セル面積0.028μm2と世界最小のDRAMセルを試作
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050615/105783/


【VLSI速報】TSMC,液浸技術を駆使して32nmルールの6トランジスタSRAMセルを試作
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050615/105782/


【VLSI速報】ポーラスlow-k膜「MPS」使った45nm向け配線技術が登場
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050614/105771/


【VLSI速報】東芝ソニー,45nm向け混載DRAM技術を共同開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050614/105770/


【VLSI速報】過去最大人数を集め「VLSI Technology」始まる,人気の要因は「本命となる材料探し」か
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050614/105766/