国内大手半導体ベンダーであるルネサス テクノロジの顧客向け技術誌「RENESAS EDGE」の2005年4月号（先端技術特集号）に取材記事執筆でご協力させていただきました。
この号では巻頭の研究者インタビュー，ルネサスのISSCC発表成果紹介（数本）を執筆しています。
個人的にはこの発表にすごく興味をそそられました。DRAM設計というと，狭い回路面積でセルキャパシタの容量をいかに大きくとるかが基本的な設計思想です。ところが本件ではシステムLSI混載を前提に，セルキャパシタの容量をどこまで小さくできるかに回路技術で挑んでいます。設計思想がまったく逆なのです。信号電荷を小さくしても正常動作を確保するため，雑音をいかに低くするか。回路設計者の腕の見せどころが満載です。
