土曜日の夜に無事帰国しました。帰国前に全部の原稿を出したので、安心です。
IEDM 2007レポートの続き。これが多分最後かと。
次世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1214/iedm06.htm
相変化型メモリとReRAMでもマルチレベルセルの開発が進んでいるというお題目です。
どちらのメモリも抵抗値の変化を利用しているのですが、変化範囲が3ケタ〜4ケタなのでばらつきの問題をクリアすれば、2bit/セルくらいは結構イケそうに見えます。
このほかにもネタがあるのですけど、今回は時間切れということでご容赦ください。
やっぱりIEDMは面白いなあ。来年は旅費負担なしで行けるといいなあ、です。
それにはランキング入りが必須かなあ。1本くらい入っているといいなあ。しかし地味ネタだしなあ（遠い目）。
帰国便の機内でISSCC 2008のプログラムをチェックしました。相変わらずこちらも面白そう。もうすぐ企画書出します→某WEB誌様
結局ホテルはシャワーがダメダメなままでした（泣）。それとフロアのアイスマシンも壊れていました。どうしたHilton Washington、昔と違うぞ！
【12月17日追記】
ランキング入りできませんでした・・・OTZ
