Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

米国出張報告続き

IEDM 2007から引き続きレポートを書いています。



東芝SanDisk、既存技術の改良でNANDフラッシュの限界を延ばす
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1213/iedm04.htm
フローティングゲート型でも40nm以下を狙えるという研究成果です。
これでSONOSの出番がまた遠のきました。



TSMC、32nmのCMOS技術で高密度なSRAMアレイを試作
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1213/iedm05.htm
今回発表されたのは低消費電力版です。リソグラフィは193nm液浸にダブルパターニングを組み合わせたものです。電子ビーム露光を使ったりしないところにTSMCらしさを感じました。