フラッシュメモリサミット(Flash Memory Summit:FMS)2011のレポート第1号をPCWatch様に掲載していただきました。
【NANDフラッシュ編】微細化限界の突破へ、3次元構造に期待
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20110816_471039.html
メモリセル・ストリングをシリコン表面に対して垂直に立てる、3次元構造に対する期待が強まっていました。昨年のFMSとは明らかに雰囲気が違います。それだけ、現行技術の限界が近い付いてきているということなのでしょう。
ただし、3次元構造のNANDフラッシュメモリを工業的に生産できるのかどうかはまだ未知数です。2015年ころまでに歩留り良く製造できるようにならないと、NANDフラッシュメモリの高密度化が止まってしまうことになりかねません。
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追記)週間アクセスランキングで10位になりました。ありがとうございます
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/accessranking/20110822_472034.html