ISSCC2011のカンファレンス中日（22日）が終了しました。22日（現地時間）の講演から、レポート記事をPCWatch様に掲載していただいております。
「低コスト64Gbit大容量NANDフラッシュの実現技術」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20110224_428967.html
64Gbitの大容量NANDフラッシュメモリを東芝・サンディスク連合とSamsungがそれぞれ発表しました。その概要をご報告しております。
それから次世代不揮発性メモリの候補である、抵抗変化メモリをソニーが試作発表しました。抵抗変化メモリの高速性を実証しています。
お手すきのときでも、閲覧いただければ幸いです。
