コラム「ストレージ通信」を更新。「メモリ技術のシリーズ第4回：次世代メモリの「理想と現実」」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

eetimes.jp

理想のメモリ像から次世代メモリを論じています。
理想のメモリ（DRAMとNANDフラッシュメモリのいいとこ取り）は技術的には実現が困難です。まず不可能でしょう。

そこで妥協案としての現実的なメモリが登場します。
その基本的な立ち位置は、「DRAMよりも遅いけれども、アクセスがNANDフラッシュメモリよりもずっと速い不揮発性メモリ」です。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。