Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

VLSIシンポジウム現地レポート第4弾。銅配線の微細化対応を一気に進めるアニール技術

PC Watch様に半導体技術の国際学会「VLSIシンポジウム」の現地レポートを掲載していただいております。


pc.watch.impress.co.jp


【イベントレポート】銅配線の微細化に伴う最大の課題を解決する、ナノ秒パルスのレーザーアニール技術 - PC Watch


銅配線の微細化に伴う抵抗上昇の問題を、一気に解決するレーザーアニール技術をGLOBALFOUNDRIESが開発しました。
64nmピッチの銅配線の形成工程でナノ秒パルスのレーザー加熱処理を実施し、結晶成長を加速して結晶粒の大きさを2.7倍に大きくする技術です。

銅配線は微細化によって結晶粒の境界(粒界)や配線表面などによる電子散乱が大きくなり、このことが電気抵抗を急激に現象させる要因となっていました。

結晶粒を大きく成長させることで電子散乱が減り、電気抵抗が下がります。実測では35%ほと低下しています。これは相当に凄いことです。
しかも、エレクトロニクスマイグレーションの寿命も伸びるのです。


7nm世代や5nm世代などでは、銅配線をコバルト配線に変更して抵抗上昇を抑えるとともに、エレクトロニクスマイグレーション寿命を維持することが真剣に検討されています。今回発表された技術が実用になれば、5nm世代や3nm世代でも銅配線が適用できる可能性が一気に高まります。


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