Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

国際メモリワークショップ(IMW 2017)現地レポート「3D NANDは200層の超高層で2Tbit/ダイへ」


米国カリフォルニア州モントレーで開催中の国際学会「国際メモリワークショップ(IMW 2017)の現地レポート第1報をPC Watch誌に掲載していただきました。


「3D NANDフラッシュは200層クラスの超高層化で2Tbitの超々大容量へ」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1059981.html


第1報なので注目集めのために「花火を打ち上げて」おります。東芝メモリの方が約200層まで可能だとチュートリアル講演で説明していたのをもらって想定記憶容量(シングルダイ当たり)を推定しております。弱めの推定で1.5Tbit、標準的な推定だと2Tbitに達します。


2Tbitだと、ワンチップで256Gバイトですね。うわああああああああ。256Gバイト。シリコンダイ1枚で。つまり、SDカードの容量が256Gバイト、スマートフォンのストレージ容量が256Gバイト以上、になる、ということです。いつかはわかりませんが、たぶん、2030年よりは前にくる。おおよそ10年以内にくるかな、という感じ(あくまで感覚であって根拠はありません)。


つまり15年後にはこの状況の未来がきます。するとどうなるのか。そのとき、どうするべきか。今から考えておくべきだということでしょう。