EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「ARMが語る最先端メモリ」の第13回です。
「ARMが語る、最先端メモリに対する期待（13）：SRAMの基本要素とレイアウト」
http://eetimes.jp/ee/articles/1603/31/news034.html
SRAMの基礎解説なのですが、今回の説明はDRAMやフラッシュメモリなどのほかの半導体メモリと共通の事柄です。メモリセルアレイのバンク化、コラムアドレスの多重化などはこれらの半導体メモリではごくふつうに採用されています。
言い換えると半導体メモリを学ぶには、SRAMから入るのが最適といえます。DRAMやフラッシュメモリなどには特殊な事柄があるので、入門にはあまり適していません。
