EETimes Japan誌の連載コラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「ARMが語る最先端メモリ」の第11回です。
「ARMが語る、最先端メモリに対する期待（11）：超高速DRAM技術「HBM」の基礎」http://eetimes.jp/ee/articles/1603/25/news029.html
DDR4タイプをはるかに超える速度を実現する次世代DRAM技術「HBM」を解説しております。
HBMは第2世代のHBM Gen2（HBM2）になって本格的に普及し始めるようです。韓国のDRAM大手2社、SamsungとSK Hynixが供給を決めています。対抗技術「HMC」を開発してきたMicronは劣勢のようです。
（追記）前回の「DRAMについて知っておくべきこと」が好調です。ランキングのトップにつけました（写真をご参照ください）。ありがとうございます。
