IEDM 2015プレビュー 第4回「抵抗メモリ」「3D集積化」「化合物デバイス」

EETimes Japan誌で連載しておりますIEDM　2015のプレビュー記事を書きました。

「IEDM 2015プレビュー（4）：「抵抗変化メモリとGaNデバイス」」
http://eetimes.jp/ee/articles/1511/10/news032.html

抵抗変化メモリ（RRAM）の信頼せ、モノリシックな3D集積回路、化合物デバイス、がテーマです。

お手すきのときでも眺めていただけるとうれしいです。