16日から、国際学会VLSIシンポジウムの取材で京都に出張しております。
といっても会場ホテルと宿泊先（会場ホテルよりも料金が安いホテルです）を往復する日々です。
初日の16日は夜になっても原稿がまったく書けなくてこまりました。
貯水湖が干上がっているような気分です。
17日の午後になってようやく、ダムに水が溜まり始めました。
放流（出稿）の第一弾はこれです。掲載誌はPCWatch誌で、どんどん行きます。
6月18日掲載記事
「パナソニック、ReRAMの記憶容量を10倍以上に高める技術を開発」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20150618_707518.html
記憶素子の5酸化タンタル周縁にエッチング損傷によって酸素イオンが入り込む。
入り込んだ酸素イオンがフィラメントを酸化し、特性を不安定にさせます。
そこでエッチング損傷の少ない方法に切り替えるとともに、記憶素子側壁に絶縁保護膜形成し、酸素イオンの侵入うを防ぐ、という原理です。
