米国シリコンバレーで開催されたイベント「フラッシュメモリサミット（Flash Memory Summit）2013」に参加しました。レポート記事をPCWatch様に掲載していただいております。
「3Dフラッシュ、華々しくデビュー」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20130819_611597.html
今回のフラッシュメモリサミットで最大の出来事は、3次元化したメモリセルを搭載したNANDフラッシュメモリ「3D NAND」の生産が始まったことでしょう。半導体の歴史で初めての本格的な3次元構造の半導体デバイスです。
NANDフラッシュメモリの開発は過去に2bit/セル（MLC）を実用化し、1bit/セルが常識だった半導体メモリの世界を塗り替えました。今回の3D NANDは半導体メモリの常識を再びひっくり返す、大きなブレークスルーだと言えます。
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【追記】週間アクセスランキングで7位に入りました。
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/accessranking/20130826_612639.html
これも皆様のお陰です。ありがとうございます。
