Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

理化学研究所と科学技術振興機構が共同で大出力の深紫外線LEDを開発

理化学研究所科学技術振興機構が共同で大出力の深紫外線LEDを開発したと発表しました。
速報記事をマイコミジャーナル様に掲載していただいております。



理研JST、出力が従来の7倍と大きな深紫外線LEDを共同で開発」
http://journal.mycom.co.jp/news/2010/03/02/099/index.html
発光波長250nm、光出力15mW。
窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系です。ヘテロ接合の障壁があまり高くなく、p型層に電子が注入されていまい発光効率が上がらなかったのを、多重量子障壁(MQB)構造で実効的にエネルギー障壁高さを上げて電子注入効率を向上させています。
こんなにきめ細かい構造を作れるようになったのですね。凄いなあ、と感心するばかりです。



ふと思ったのですが発光波長250nmというのは、エキシマレーザーの波長248nmと非常に近いのですね。
発光波長が190nmくらいになるとArFレーザーと同じになります。するとリソグラフィ露光装置の光源がものすごく小さくなるのでは。
うーん。でも無理かなあ。バンドギャップ広げるのきつそうです。