マイコミジャーナルに掲載していただきました。
たぶんこれがIEDM2009からは最後のレポートです。
「世界最小のSRAMセルを台湾ナノデバイス研が試作」
http://journal.mycom.co.jp/articles/2010/01/25/iedm2009_sram/index.html
気相成長反応を電子ビームアシストで起こし、微細なパターンのハードマスクを形成しています。
ゲート長が18nmとものすごく短いトランジスタの試作に成功し、このトランジスタを使ったSRAMセルを作ってみせていました。
