Flash Memory Summit 2009（FMS 2009）レポートが2本アップされました。
「3bit/セルのNANDフラッシュ技術をMicronが語る」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20090817_308916.html
8月11日にIntelとMicronが共同で3bit/セル方式の32GビットNANDフラッシュメモリの製品化を発表しました。
FMS 2009の開催にタイミングを合わせたものとみられます。FMSではMLCとSLCの長期信頼性や書き込みスループットなどの違いが説明されました。2bit/セルのMLCだと、書き換え可能回数がSLCの10分の1に減ってしまいます。
「次世代メモリ技術の開発意欲は衰えず」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20090817_308957.html
4社のベンチャー企業による新規メモリ技術の講演をまとめてレポートしました。
米国シリコンバレーの企業が3社。いずれも不揮発性RAMを狙っています。MRAMが2社、ReRAMが1社です。いずれも技術開発途中で、製品化はこれからです。
残りの1社はカナダの企業です。独自構造のトランジスタを使ったアンチヒューズ型埋め込みOTP技術を開発し、提供中です。すでにシリコンファウンドリ大手に採用されています。日本企業では富士通マイクロエレクトロニクスが導入しました。
