Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2017-01-01から1年間の記事一覧

コラム「セミコン業界最前線」を更新。12月開催のIEDM 2017の概要を紹介しています

PCWatch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp 12月に米国サンフランシスコで開催予定の国際学会「IEDM 2017」の概要がまとまりました。IEDMは半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国…

技術書の同人イベント「技術書典3」にサークル参加しました

10月22日に秋葉原で開催予定の技術書オンリーイベント「技術書典3」にサークル参加しました。おかげをもちまして完売しました。ありがとうございました。購入できなかった来場者の皆さま、すみません。 以下は開催前の告知文です。 「技術書典3」の公式サイ…

コラム「ストレージ通信」を更新。「不揮発性DRAMへのアプローチ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 eetimes.jp ポイントは、これまでご紹介してきた二酸化ジルコニウムが、DRAMキャパシタの絶縁材料でもある、という点です。つまり、工夫次第で、DRAMキャパシタが不揮発性になる…

コラム「ストレージ通信」を更新。反強誘電体キャパシタで実際に残留分極を確認

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 eetimes.jp 仕事関数の異なる電極を使った反強誘電体キャパシタを作製し、残留分極「あり」と「なし」の2つの状態を実現しました。これで不揮発性メモリとして使えることが分か…

コラム「セミコン業界最前線」を更新しました。「NVDIMM技術の本命、NVDIMM-P技術を解説」

PCWatch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp 不揮発性DIMM(NVDIMM)技術の本命「NVDIMM-P」技術の解説です。 NVDIMM-Pが普及するとメモリ階層がどのように変わっていくかについても、解説(予想)し…

不動産事故物件(心理的瑕疵物件)のリアル実況本「霊能者と事故物件視てきました」(追記あり)

まず最初に断っておきます。自分の霊感はゼロです。ほぼゼロです。 まったく視えませんし、聞こえませんし、臭いもしません。 ものすごく有名な場所で、「嫌な感じ」がする程度です。霊能者と事故物件視てきました作者: 東條さち子,育代出版社/メーカー: ぶ…

コラム「ストレージ通信」を更新。「反強誘電体キャパシタの試作結果」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 eetimes.jp eetimes.jp 前回の続きです。反強誘電体を内部電界バイアスによって見かけ上、強誘電体に変換することの理論的な裏付けを前半で説明しております。後半は、反強誘電…

はてなダイアリーからはてなブログに移行しました

平素はご訪問をありがとうございます。管理人です。 デザインが急に変わって驚かれた方がいらっしゃるかと思います。 「はてなダイアリー」から「はてなブログ」に全エントリーを移行しました。 「はてな」は元々、「はてなダイアリー」でブログサービスを実…

コラム「ストレージ通信」を更新。「反強誘電体から不揮発性メモリを作る方法」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 eetimes.jp 反強誘電体は、当然ですがそのままでは不揮発性メモリにはなりません。 そこで反強誘電体キャパシタにある工夫を加えます。するとなぜか、不揮発性メモリになってし…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。主記憶に革新をもたらす不揮発性DIMM(NVDIMM)の解説第2弾です

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp サーバーやタワーPCなどの主記憶(メインメモリ)に革新をもたらす不揮発性DIMM(NVDIMM)の解説、第2弾です。NVDIMM技術といっても主に3種類の技術があ…

タイトルに騙されました。新書「23区格差」に本音を期待してはいけません

書店で煽りコピーとともに平積みしたあったために、購入してしまいました。 23区格差 (中公新書ラクレ) 作者: 池田利道 出版社/メーカー: 中央公論新社 発売日: 2016/02/12 メディア: Kindle版 この商品を含むブログを見る 期待した自分が馬鹿でした。千代…

ここまで書いてしまうとは・・・上京志望者の必読書「首都圏住みたくない街」

「東京DEEP案内」が選ぶ 首都圏住みたくない街作者: 逢阪まさよし+DEEP案内編集部出版社/メーカー: 駒草出版発売日: 2017/06/15メディア: 単行本この商品を含むブログ (2件) を見る正直、ここまで書いてしまって良いものでしょうか。 かなりアブナイところま…

コラム「ストレージ通信」を更新。新シリーズ「反強誘電体が起爆するDRAM革命」を開始

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 eetimes.jp 二酸化ハフニウム系強誘電体の発見に伴い、同系の「反強誘電体」も発見されました。 反強誘電体は残留分極がほぼゼロに近いので、不揮発性メモリへの応用はふつう、…

コラム「ストレージ通信」を更新。強誘電体トランジスタによる多値メモリ技術の後編です

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(23):強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(後編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1710/02/news022.html 前編は多値化の原理を解説しま…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「サーバー主記憶の大変革を促す不揮発性DIMM」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp 不揮発性DIMMことNVDIMMが、サーバーの主記憶にいよいよ導入されようとしています。NVDIMMとは何か。なぜDRAM DIMMではダメなのか。 そしてコンピュータ…

コラム「ストレージ通信」を更新。「強誘電体トランジスタで多値メモリを実現」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った不揮発性メモリの解説、第22回です。 「強誘電体メモリの再発見(22):強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)」 http://e…

コラム「ストレージ通信」を更新。二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究状況を解説(後編です)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(21):二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/21/news021.html 二酸化ハフニウム…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。メモリ不足とメモリ価格の上昇が半導体市場を急速に拡大中

PCWatch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「予想を遙かに超え、未曾有の成長率を記録する2017年の半導体市場〜一方で暴落への反動に対する懸念も浮上」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1081418.html …

コラム「ストレージ通信」を更新。新強誘電体材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体不揮発性トランジスタの前編です

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(20):二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/15/news030.html 新強誘電体材料「…

コラム「ストレージ通信」を更新。「日本の産総研が従来型強誘電体トランジスタの研究を牽引」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「 強誘電体メモリの再発見(19):従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/12/news023.htmlペロブスカイト系強誘電…

コラム「セミコン業界最前線」を更新しました。DDR5 DRAMモジュール(DIMM)の規格策定動向を解説

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「次世代のサーバー/ハイエンドPC向けDRAMモジュール「DDR5 DIMM」」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1080032.html 次世代DRAMのDDR5 DRAMを載せるモジュー…

コラム「ストレージ通信」を更新。ペロブスカイト系材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発を解説

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(18):従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/07/news025.html 強誘電体トランジスタの…

コラム「ストレージ通信」を更新。1個のトランジスタだけで不揮発性のメモリセルを実現する「強誘電体トランジスタ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(17):究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/05/news014.html MOS FETのゲート絶縁膜を、強…

コラム「ストレージ通信」を更新。「新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシタの特性」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。強誘電体メモリに関する技術解説のシリーズを継続中です。 「強誘電体メモリの再発見(16):新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体キャパシターの特性」 http://eetimes.j…

電気化学会のイベント「半導体・集積回路シンポジウム」で講演しました

告知が遅れてしまいました。電気化学会のイベント「半導体・集積回路シンポジウム」で講演しました。シンポジウムは8月24日〜25日の2日間で、東京・神楽坂の東京理科大学の施設を使って実施されました。半導体・集積回路シンポジウムの公式サイト http://sem…

コラム「ストレージ通信」を更新。強誘電体の新材料「二酸化ハフニウム」でメモリセルを構成する方法

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(15):新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体メモリへの長い道」 http://eetimes.jp/ee/articles/1708/25/news027.html 強誘電体の新材料「二…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。DDR5メモリの技術仕様(策定中)を解説しております

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「次世代のサーバー/ハイエンドPC向けDRAM「DDR5メモリ」」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1076835.html 業界団体で技術仕様を策定中の次世代DRAM「DDR5 DR…

コラム「ストレージ通信」を更新。新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件とは

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「誘電体メモリの再発見(14):新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件」 http://eetimes.jp/ee/articles/1708/22/news028.html 二酸化ハフニウムは非常に面白い材料…

3D NANDフラッシュ各社の最新開発状況をまとめて解説

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「3D NANDが128TBの超大容量SSDを実現へ」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1076106.html 3D NANDフラッシュ大手各社の最新開発状況を、フラッシュメモリサミ…

コラム「ストレージ通信」を更新しました。新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の兆候は日本人が発見

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(13):新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の発見」 http://eetimes.jp/ee/articles/1708/17/news020.html 二酸化ハフニウムは元々、高い誘…