Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2017-09-01から1ヶ月間の記事一覧

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「サーバー主記憶の大変革を促す不揮発性DIMM」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 pc.watch.impress.co.jp 不揮発性DIMMことNVDIMMが、サーバーの主記憶にいよいよ導入されようとしています。NVDIMMとは何か。なぜDRAM DIMMではダメなのか。 そしてコンピュータ…

コラム「ストレージ通信」を更新。「強誘電体トランジスタで多値メモリを実現」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った不揮発性メモリの解説、第22回です。 「強誘電体メモリの再発見(22):強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)」 http://e…

コラム「ストレージ通信」を更新。二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究状況を解説(後編です)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(21):二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/21/news021.html 二酸化ハフニウム…

コラム「セミコン業界最前線」を更新。メモリ不足とメモリ価格の上昇が半導体市場を急速に拡大中

PCWatch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「予想を遙かに超え、未曾有の成長率を記録する2017年の半導体市場〜一方で暴落への反動に対する懸念も浮上」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1081418.html …

コラム「ストレージ通信」を更新。新強誘電体材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体不揮発性トランジスタの前編です

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(20):二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/15/news030.html 新強誘電体材料「…

コラム「ストレージ通信」を更新。「日本の産総研が従来型強誘電体トランジスタの研究を牽引」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「 強誘電体メモリの再発見(19):従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/12/news023.htmlペロブスカイト系強誘電…

コラム「セミコン業界最前線」を更新しました。DDR5 DRAMモジュール(DIMM)の規格策定動向を解説

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。 「次世代のサーバー/ハイエンドPC向けDRAMモジュール「DDR5 DIMM」」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1080032.html 次世代DRAMのDDR5 DRAMを載せるモジュー…

コラム「ストレージ通信」を更新。ペロブスカイト系材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発を解説

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(18):従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/07/news025.html 強誘電体トランジスタの…

コラム「ストレージ通信」を更新。1個のトランジスタだけで不揮発性のメモリセルを実現する「強誘電体トランジスタ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「強誘電体メモリの再発見(17):究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ」 http://eetimes.jp/ee/articles/1709/05/news014.html MOS FETのゲート絶縁膜を、強…