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EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術」の第13回となります。
シリコンダイの3次元積層によって消費電力密度、つまり発熱密度が上昇します。
積層枚数が増えると、発熱密度がさらに上がることになります。
この対策としてシリコンダイを冷却水によって直接（あるいはほぼ直接）に放熱させる技術をTSMCは開発しています。
シリコンダイに溝を切って冷却水を流すというものです。
注目すべきは溝加工にダイシングソーを使っているということ。エッチングではありません。
調べたらレーザーダイオードやパワーデバイスの放熱ですでに使われているようです。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただければうれしいです。
PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を久々に更新しました。
前回が11月16日なので、ほぼ5週間ぶりです。遅れてすみません。
TSMCが日本に建設する工場（前工程ライン）の概要が公表されました。その内容をレポートしております。
前回の続きに相当します。
前回の記事
pc.watch.impress.co.jp
対応するブログ
affiliate-with.hatenablog.com
TSMCとソニーセミコンダクタソリューションズ（SSS）の合弁企業が日本工場となります。
この合弁工場には、設備投資額70億米ドルの半分を日本政府が助成します。
そのための補正予算が12月20日に成立しました。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術」の第12回となります。
シリコンダイを積層する3次元集積化技術「SoIC（System on Integrated Chips）」の開発ロードマップです。
始めは技術ノード（N5など）の微細化スケジュールとなります。CoWが先行しています。
2枚目はシリコンダイ接続ピッチの微細化による、体積当たりの接続数（接続密度）の増加ロードマップです。
15年で100倍というハイペースで密度が上がっていきます。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術」の第11回となります。
シリコンダイを積層する3次元集積化技術「SoIC（System on Integrated Chips）」がテーマです。
TSMCがこれまで開発してきた先進パッケージング技術では、シリコンダイを横に並べていました。
横に並べたシリコンダイの間を中間基板（インターポーザ）の微細配線で高密度接続していました。
SoICではシリコンダイを縦に重ねていくことで、横置きよりも高い接続密度と広い帯域を狙います。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
