Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第11回となります。

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ついに3次元CMOSロジックの登場となりました。実用化は早くても2nm世代以降。
もちろん使われない可能性もあります。重要なのは、こういった将来の要素技術が「ある」ことです。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。「論理回路セルとSRAMセルを縮小するフォークシート構造」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第10回となります。

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ナノシート構造とフォークシート構造で、同じ機能の論理回路セルとSRAMセルの大きさを比較しています。
どちらもフォークシート構造が小さくなります。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のCMOSロジック製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第9回となります。

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今回はpチャンネルとnチャンネルのトランジスタ対(ペア)を製造する工程(ステップ)を説明しています。
トランジスタ構造はかなり複雑で、ステップ数はかなりの量に上ることが伺えます。
imecはナノシート構造のプロセスにちょっとだけ追加して変更したものというニュアンスで説明しておりますが、ナノシート構造のプロセスそのものがかなり複雑です。

筆者はフィンFET(FinFET)まではトランジスタの断面図を見て、プロセスのフローをある程度は想像できたのですが。
ナノシート構造の断面図を見たときは、正直言ってお手上げでした。想像がつかないんですよ。あちゃー。
ナノシート構造を国際学会で初めて見たときにimecは講演で、プロセスフローのアニメーションがプレゼンしました。ところがアニメを見てもステップが多すぎて覚えられないという。
なんといいますか犠牲層(あとでくり抜く層)とか、ハードマスクとか、サイドエッチとか、エピタキシャル成長とか、自己整合パターニングとか、原子層成膜とか、原子層エッチングとか・・・・。

正直、微細化ではFinFETを限界まで延命したくなります。GAA(ナノシート)FETだとプロセスコストが跳ね上がりそうでコワイ。フォークシートはもっとコワイ。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。


コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のトランジスタが次世代以降の有力候補である理由」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第8回となります。

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フォークシート構造の続きです。フォークシート構造は、CMOSロジックを構成するpチャンネルとnチャンネルの両トランジスタトランジスタ対)の距離(PN)を詰められるのが特長です。

5nm以降のCMOSロジック技術ノードでは、PNを短くできることがなぜ重要なのか。これが今回の内容です。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IMW2021レポート、SamsungとGFが高密度の埋め込みフラッシュ技術を開発」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp

半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ(IMW)」のレポート第2報です。

高密度の埋め込みフラッシュ技術の発表を紹介しています。1つは28nmのHKMG CMOSロジック互換の埋め込みフラッシュ。Samsungが発表しました。20Mbitのマクロを試作しています。自動車用半導体の信頼性グレード1に対応したことが特長です。

もう1つは22nm FD-SOI CMOSロジック互換の単層多結晶シリコン埋め込みフラッシュ。GLOBALFOUNDRIES(GF)が発表しました。こちらはOTPメモリ/MTPメモリを高密度化することが狙いのようです。

お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。


コラム「デバイス通信」を更新。「ナノシート構造を超える高い密度を実現するフォークシート構造」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第7回となります。


eetimes.itmedia.co.jp


FinFET(フィンフェット)の次はナノワイヤ構造、あるいはナノシート構造のチャンネルを備えたトランジスタが候補でした。最近ではナノワイヤよりもナノシートが有利だとの意見が主流となっています。

さらにimecは、ナノシート構造でも微細化には課題があるとしてフォークシート構造を提案して試作してきました。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。