Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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コラム「ストレージ通信」を更新。「1Gビット当たりのコストが1.0米セントに近づく最新3D NANDフラッシュ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第9回となります。

3D NANDフラッシュメモリのビットコスト(記憶容量当たりのコスト)をメーカー各社ごとに比較しています。

eetimes.jp


すでに1Gビット当たりで2セントを切っています。ギガビット単価が2円を切っている。1.5円くらい。
ものすごい安さです。記事中にある38nmプロセスの1Gビット2D NANDフラッシュメモリの単価が19.5セントなので、20円と仮定します。現在が2円と仮定すると10分の1です。でもってシリコンダイ当たりの記憶容量は256倍~512倍となっています。うわー。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「3D NANDフラッシュの製造歩留まりを高める2段階積層」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第8回となります。

3D NANDフラッシュの高層化に伴う製造の難しさの増加(あるいは製造歩留まりの低下)を緩和する技術を紹介しております。


eetimes.jp


NANDフラッシュ大手ではキオクシア-WD連合、SK hynix、Intel-Micron連合(96層まで)がすでに2段階の積層(2ティアー、2デッキなどと呼ばれます)技術を導入しています。Samsungだけは92層まで、導入せずにがんばっています。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。



                                 

コラム「ストレージ通信」を更新。「急速にキャッチアップを進めたSK hynixの3D NAND技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

フラッシュメモリサミット(FMS)の講演紹介の続きです。
技術調査会社で半導体チップの解析で知られるTechInsights。
同社でシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏の講演概要です。
その第7回となります。

韓国SK hynixが開発してきた3D NANDフラッシュメモリ技術のあらすじです。

eetimes.jp


当初は3D NAND開発では大手ベンダーの中で最後発でしたが、最近では先頭を走っているように見えます。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新。「3D NANDフラッシュ技術の最新動向を解説」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を久々に更新しました。
ちょっといろいろありまして(汗)。間隔が空きました。

pc.watch.impress.co.jp

なんかいろいろ調べたり図面を作ったりしているうちに。
当初の計画よりも大幅に文字数が増えてしまいました。
1万字前後あります。当初計画は4000字~5000字でした。あちゃー。


3D NANDフラッシュメモリの高密度化は、まだ限界が見えないです。
この時点でワード線の積層数は176層に。次は200層超えが見えています。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。