米国サンフランシスコで開催された国際学会IEDM 2019から、現地レポートをPC Watch様に掲載していただきました。
Samsung Electronicsが1Gbitと大容量の埋め込みMRAM技術を発表しました。埋め込みフラッシュメモリをはるかに超える大きな記憶容量を実現しています。
発表したMRAMの製造技術は28nmのFD SOI CMOSロジック技術です。
原理的にはバルクのプレーナ28nm CMOSやFinFETの28nm CMOSでも同様のMRAMが作れます。
試験生産では90％以上と高い歩留まりを得ているので、実用化の時期はかなり近そうに見えます。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
