PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
3D NANDフラッシュメモリの高密度化に関する技術解説です。
タイトルの「第3」のスケーリングとは、横方向のスケーリングのことです。
1つは、メモリホールの横にあるステアケースの微細化です。ステアケースはワード線を引き出すための、階段状のスペースです。シリコンダイの記憶密度を低下させる要因となります。
もう1つは、周辺回路のメモリセルアレイの下にレイアウトする（積層する）技術です。最初は周辺回路の一部だけでしたが、最近は周辺回路の大部分を積層するようになってきました。
3つ目は、メモリホールの微細化です。この部分の情報はこれまでほとんど明らかになっていませんでした。今回のFMSでWestern Digitalがメモリホール密度の向上（すなわちメモリホールの微細化）についてトレンドを公表しました。たぶん初めてのことです。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
