Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

フラッシュメモリサミット現地レポート「SK Hynixが3D NAND開発で最先端に、TLCで初の1Tbitフラッシュを誇示」

米国カリフォルニア州サンタクララで開催されましたイベント「フラッシュメモリサミット」の現地レポートをPC Watch様に掲載していただきました。

pc.watch.impress.co.jp


韓国の大手メモリベンダーSK Hynixが、トップベンダーを急速にキャッチアップしつつある、という話題です。
128層のTLC方式による1Tbitのシリコンダイを開発してきました。


意外なことに、これまでTLC方式による1Tbitのシリコンダイ開発がアナウンスされたことはなかったんですね。
1Tbit以上のシリコンダイはQLC方式だけだった。
128層のTLC方式のアナウンスはあったけれども、シリコンダイの記憶容量は512Gbitでした(ISSCC 2019での東芝メモリとWDの共同発表)。

[画像] 【福田昭のセミコン業界最前線】3D NANDフラッシュの技術開発を先導し始めた東芝-WD連合 (2/14) - PC Watch


もっとも大容量シリコンダイの開発発表は華やかではあるけれども。
ビジネスの主力となっているシリコンダイの記憶容量はいまだに256Gbitという現実があります。
なぜなら、単価がHDDよりも高いから。10TBを超えるようなSSDは売れません。高価過ぎて。
容量1TBが売れ筋でしょうか。すると256Gbitシリコンダイを4枚積層したパッケージ(1Tbit)を8個内蔵するSSDで、1TBとなります。
1TBなら、256Gbitのダイで十分なのです。


技術発表と事業のギャップについては、いずれきちんと書く予定でおります。ご期待ください。