Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「3D NANDフラッシュメモリの開発動向をISSCCから解説」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


pc.watch.impress.co.jp


2月後半に開催された国際学会ISSCCなどから、3D NANDフラッシュメモリの開発動向を解説しております。

ISSCCで目立っていたのは東芝-WD連合の発表でした。2種類の3D NANDフラッシュメモリを発表して気を吐いておりました。
1件の開発成果は、1.33Tbit/ダイと過去最大の記憶容量を更新したチップ。
もう1件の開発成果は、ワード線の積層数を過去最多の128層に増やしたチップです。


一方でNANDフラッシュメモリ最大手のSamsungは「第6世代(V6)」の3D NANDフラッシュメモリ技術を発表したのですが。
この内容がかなり抽象的で、戸惑いました。昨年のフラッシュメモリサミットへの不参加といい、最近のSamsungによるNANDフラッシュメモリへのスタンスはちょっと変です。


詳しくは記事をお読みくださいませ。筆者が喜びます。