PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
2月後半に開催された国際学会ISSCCなどから、3D NANDフラッシュメモリの開発動向を解説しております。
ISSCCで目立っていたのは東芝-WD連合の発表でした。2種類の3D NANDフラッシュメモリを発表して気を吐いておりました。
1件の開発成果は、1.33Tbit/ダイと過去最大の記憶容量を更新したチップ。
もう1件の開発成果は、ワード線の積層数を過去最多の128層に増やしたチップです。
一方でNANDフラッシュメモリ最大手のSamsungは「第6世代（V6）」の3D NANDフラッシュメモリ技術を発表したのですが。
この内容がかなり抽象的で、戸惑いました。昨年のフラッシュメモリサミットへの不参加といい、最近のSamsungによるNANDフラッシュメモリへのスタンスはちょっと変です。
詳しくは記事をお読みくださいませ。筆者が喜びます。
