EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
既存の半導体メモリと、エマージングメモリ（次世代メモリ）を比較しつつ、その違いを説明しております。
別名「今さら聞けない次世代メモリ」（爆）。
ぶっちゃけます。粗く断言してしまうと、次世代メモリとは「書き込みが速い不揮発性メモリ」です。
言い換えますと、既存の不揮発性メモリはすべて「書き込みが遅い」という弱点を抱えています。
標準型EEPROMにしても、フラッシュメモリにしても、書き込みが遅い。
読み出しは速いのですが。
一方、DRAMとSRAMは、書き込みも読み出しも速い。でも不揮発性ではない。
そこから、次世代メモリのことを「不揮発性のDRAM」とか「不揮発性のSRAM」とか読んだりしています。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
