国際学会IEDMの現地レポート続報をPC Watch様に掲載していただいております。
Intelが22nm世代のロジックに埋め込むためのMRAM(磁気抵抗メモリ)技術を開発しました。
低消費電力版プロセスの「22FFL」によるロジックと混載するMRAMを想定しています。
22nm世代から28nm世代のロジックに埋め込むMRAM技術は、SamsungやTSMC、GLOBALFOUNDRIESも開発しています。
上記3社はこれまでに国際学会で開発成果を発表済みです。
Intelの学会発表はたぶん、今回が初めてとなります。
詳しくは記事をおよみいただけるとうれしいです。