PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。国際学会IEDMの研究成果発表からです。
3D NANDフラッシュの製造技術である「メモリスルーホール技術」を、強誘電体トランジスタに適用したメモリをimecが試作しました。
原理的には3D NANDフラッシュと同様に、超大容量あるいは超高密度の不揮発性メモリを作れるようになります。
といってもまだ実験室レベルの試作であり、試作したセルトランジスタの特性はあまり良好とは言えません。
言い換えると、改良の余地が有り余るくらいある、ということです。
今後の改良に大いに期待できる研究成果です。先が楽しみです。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
