EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
垂直方向に並んだセルトランジスタを一気に作る (1/2) - EE Times Japan
3D NANDフラッシュメモリのシリーズ第11回です。
垂直方向に並んだセルトランジスタを形成する技術の解説回となっております。
製造工程を図面で説明されると「なるほど～」と納得するのですが、これを考え出すのって。
かなりというか、相当に凄いことでは。
しかも「なるほど～」の次が。「これって本当に作れるのだろうか？」ですよ。
もちろん、最初は不良品の山なのですが。いや、だったのですが。
現在では64層のTLC方式で512Gbitクラスのシリコンダイは大量生産中です。
やり続けると、できてしまう。凄いです、人類。
