Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。光変調器の試作例の続き「電界吸収変調器(EA変調器)」

EETimes Japam様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリコンフォトニクスに関するシリーズの第13回です。

eetimes.jp

光変調器の試作例(電界吸収(EA)変調器)とまとめ(前編) (1/2) - EE Times Japan


前回に続いて光変調器の試作例をご報告しております。今回は電界吸収変調器(EA変調器)です。


電界吸収層にはシリコンではなく、シリコンとゲルマニウムの化合物(SiGe)を使います。
光波長が1550nmなので、シリコンだとバンドギャップが広すぎて光を吸収しません。
そこでバンドギャップが狭いゲルマニウムをシリコンと混ぜ、バンドギャップを調整しています。



詳しくは、記事をお読みいただけるとうれしいです。