EETimes Japam様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を追加更新しました。
MRAMのメモリセルと読み書きの原理 (1/2) - EE Times Japan
MRAM（磁気抵抗メモリ）のメモリセルの構成とデータ読み出し、データ書き込みの原理を解説しております。
メモリセルは、DRAMと類似の1T1Rタイプ。抵抗記憶素子は磁気トンネル接合（MTJ）です。
詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。
不揮発性磁気メモリMRAM―ユニバーサルメモリをめざして (ケイ・ブックス)
- 作者: 猪俣浩一郎
- 出版社/メーカー: 工業調査会
- 発売日: 2005/11
- メディア: 単行本
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