EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「強誘電体メモリの再発見（20）：二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発（前編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/15/news030.html
新強誘電体材料「二酸化ハフニウム」をゲート絶縁膜に導入した、強誘電体不揮発性トランジスタの研究状況を解説します。その前編です。
新強誘電体材料「二酸化ハフニウム」が2011年に国際学会で公表されるよりもかなり以前に、二酸化ハフニウム系強誘電体の研究で先行していたドイツFraunhofer Instituteを中心とする研究グループが、強誘電体不揮発性トランジスタを試作していたという事実を報告しております。2008年にQimondaの協力を得て製造したトランジスタです。当然ながら、未公表でした。
国際メモリワークショップ（2017年5月開催）のショートコースで、この事実は初めて明らかにされたようです。言い換えると2008年の段階（公表の3年前の段階）で、Fraunhofer Instituteを中心とするグループの研究はかなりのところにまで進んでいた、ということになります。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
