EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
12月上旬に開催される国際会議IEDMのプレビューです。
今回が最終回となります。最終日の午後の講演から、トピックを紹介しております。
絶縁体（半導体）と金属の間で相転移を起こす化合物を利用した機能素子の開発
シリコンナノワイヤを積層したGAA（ゲートオールラウンド）トランジスタで集積回路を試作
3次元クロスポイント構造を狙ったスピン注入メモリとセレクタの技術
などが内容です。
お手すきのときにでも眺めていただけるとうれしいです。
