コラム「ストレージ通信」を更新。「強磁性体の基本的な性質」

EETimes Japan誌のコラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAMの基礎解説シリーズ第3回です。

「STT-MRAMの基礎（3）：強磁性、常磁性、反磁性の違い」
http://eetimes.jp/ee/articles/1604/26/news036.html

前半は強磁性体の基本的な性質である、交換相互作用と磁気異方性を説明します。
後半は物質の磁気的な性質の説明を、講演とは別に追加しています。

強磁性、常磁性、反磁性って理工系大学の授業でやりそうな内容なので、何をいまさら、という感じもします。

ところが大学というのはいいかげんなところです。
自分が大学で受けたエネルギーバンド理論に基づく半導体と磁性の授業はなんと、半導体のバンド理論だけで年度末になってしまったのでした。教科書の後半3分の1ほどが磁性（と電子スピン）の内容だったのに、まったく知らないまま、卒業。

そのような方がほかの大学にもいらっしゃるのではないか。そんなことを考えて補足説明を作りました。ご参考になれば幸いです。

大事なことはすべて大学が教えてくれました。
「独学に優るものはない」と（苦笑）。