EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。非シリコンチャンネルのシリーズ第3回です。インジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)とⅢ-Ⅴ族化合物半導体を解説しております。
「次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(3)〜III-V族半導体の「新たなる希望」」
http://eetimes.jp/ee/articles/1508/05/news018.html
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EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。非シリコンチャンネルのシリーズ第3回です。インジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)とⅢ-Ⅴ族化合物半導体を解説しております。
「次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(3)〜III-V族半導体の「新たなる希望」」
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