ISSCC2015レポートの続報です。前日に続き、NANDフラッシュメモリの講演からです。
「Samsung、第2世代の128Gbit 3D NANDフラッシュの技術概要を公表」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20150305_691450.html
前年のISSCCでSamsungは初めて3D-NAND方式の128Gbitフラッシュメモリを発表しました。そのときはMLC方式、24層でした。今回はTLC方式、32層です。シリコンダイ面積はほぼ半分と小さくなっています。
お手すきのときにでも、眺めていただければ幸いです。
Samsung SSD 250GB 850 EVO ベーシックキット V-NAND搭載 2.5インチ 内蔵型 MZ-75E250B/IT
- 出版社/メーカー: 日本サムスン
- 発売日: 2014/12/16
- メディア: Personal Computers
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