VLSIシンポジウム現地レポート第4弾「自動車用マイコンに向けた24Mバイトの大容量フラッシュメモリ技術」

VLSIシンポジウム現地レポートの第4弾をPC Watch様に掲載していただきました。

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ルネサス エレクトロニクスの研究開発成果です。自動車用マイコンの内蔵フラッシュ技術となります。
28nmのSG-MONOS技術をベースに、24Mバイト（192Mビット）の大容量フラッシュメモリを試作したというものです。
読み出し周波数は240MHzとかなり高くなっています。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

VLSIシンポジウム現地レポート第3弾「6層のクロスポイントと1Znm技術で実現する1Tbitの超大容量メモリ」

VLSIシンポジウムの現地レポート第3弾をPC Watch様に掲載していただきました。

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相変化メモリ（PCM）を共同研究しているIBMとMacronix Internationalの発表をご報告しております
PCMのクロスポイント化によって、1Tbitの超大容量不揮発性メモリを実現する手段を検討しました。
その結果が、「6層のクロスポイントと1Znm世代の製造技術」であれば、1Tbitを実現できるというものです。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

国際学会VLSIシンポジウム現地レポート第2弾をPC Watch誌に掲載

京都で始まりました国際学会VLSIシンポジウムの現地レポート第2弾をPC Watch様に掲載して頂きました。

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第2弾は回路シンポジウムの概要をご紹介しております。

お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。

国際学会VLSIシンポジウム現地レポート第1弾をPC Watch誌に掲載

京都で始まりました半導体技術の国際学会「VLSIシンポジウム」の現地レポート第1弾をPC Watch様に掲載して頂きました。

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VLSI技術シンポジウムの前日（予告）レポートです。
月曜日（10日）はショートコースの開催日なのですが、
技術シンポジウムのショートコースは異様に「人数が多い」感じがします。
といっても記事はショートコースにはふれておりせん。

技術シンポジウムそのものの概要をご紹介しております。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。