コラム「デバイス通信」を久々に更新。12月開催の国際学会IEDMをプレビュー

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を久々に更新しました。

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12月に開催される半導体デバイス技術の国際学会IEDM（アイイーディーエム）のプレビューです。
最初は全体のスケジュールをご紹介します。

電子デバイス工学 [第2版]

コラム「ストレージ通信」を更新。強誘電体と反強誘電体のシリーズ最終回（まとめ）

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

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新強誘電体「二酸化ハフニウム」と新、反強誘電体「二酸化ジルコニウム」のシリーズをまとめました。

いずれも不揮発性メモリへの応用を想定した研究開発がなされてきました。

本シリーズでではふれませんでしたが、
最近では、強誘電体トランジスタを「負性容量トランジスタ」に適用する研究が活発になっています。
いずれはご紹介していくつもりです。

なぜ今やらないかというと・・・・筆者が「負性容量トランジスタ」を良く分かっていない・・・というぶっちゃけ理由からです。勉強しますので、もうしばらくお待ちください。

強誘電体デバイス

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「間違いだらけのムーアの法則」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp

半導体業界では知らないと馬鹿にされそうな「ムーアの法則」です。
ですが、意外ときちんと知らないまま、使い回されています。
ムーア氏本人が発言していないことまで描かれてしまう。二次創作ですか（苦笑）。

そこでちょっと警告の意味を込めて、「ムーアの法則」とは何かを書きました。

さすがに戦犯リストは発言者を抽象化しましたが。

ブログや同人誌では実名でいずれ、
発言内容と発言者をURL入りのセットで書いていこうと思ってます。

けけけけけけ。

インテルとともに―ゴードン・ムーア 私の半導体人生

半導体の覇者―週刊東洋経済ｅビジネス新書No.223

コラム「ストレージ通信」を更新しました。不揮発性DRAMの解説後編です

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

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不揮発性DRAMの解説後編です。

前編ではプレーナキャパシタを取り上げました。後編では、製品DRAMに採用されている3次元構造のキャパシタを取り上げております。DRAM製品の製造プロセスで二酸化ジルコニウムの反強誘電体キャパシタを試作して評価した結果です。不揮発性メモリとして機能することや、長期信頼性（書き換えサイクルとデータ保持期間）の基本データなどをご紹介しております。

お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。