Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「2019年の半導体ベンダー売上高ランキング予測」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

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半導体ベンダーの売上高ランキングで、2019年はIntelがトップを奪還するとの予測が業界全体の見通しになってきたという話題を紹介しております。

2016年まで25年連続でトップを維持してきたIntelから、2017年にSamsungが首位を獲りました。続く2018年もSamsungが首位を維持しました。
いずれもメモリ市況が好調だったおかげです。
しかし2018年の第4四半期から、メモリ市況は絶不調に陥っております。

このため、2019年はSamsung半導体売上高が大きく下がり、代わってIntelが首位を奪還するというシナリオが有力になっています。
といってもIntelも前年に比べると半導体売上高は伸びず、マイナスになりそうです。
Intelは減少の割合が少ないので、トップになるというシナリオです。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

【福田昭のセミコン業界最前線】2019年の半導体ランキング、Intelが3年ぶりに首位を奪還へ - PC Watch

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「6月に京都で開催されるVLSIシンポジウムの概要」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

半導体の研究開発コミュニティにおける6月の恒例行事、国際学会「VLSIシンポジウム」の概要紹介です。

pc.watch.impress.co.jp


VLSIシンポジウムは毎年6月に、ハワイと京都で交代しながら開催されております。
今年は京都の番です。京都は、日本を含めたアジアの技術者にとって参加しやすい場所。
正直、ハワイに比べると移動は楽でありがたいです。


VLSIシンポジウムは、VLSI技術シンポジウムとVLSI回路シンポジウムの2つの学会で構成されています。
元々は開催場所は同じであるものの、日程はかなりずれていました。それがだんだんと重複する日が増え。
最近では完全に重ねています。
日程の重複と連動するように、共同のセッションやイベントなどが増えてきました。
さらにVLSIシンポジウムでは毎年、新しい試みが追加されています。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「研究開発の後期:製品化の決断から量産開始まで」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


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研究開発のステップを前期と後期の2つに分けて論じています。今回は後期です。

前期はオープンモードで研究開発を進めることが多い。研究成果を国際学会や学会論文誌などで発表します。

後期はステルスモードになります。外部には情報を出しません。製品の付加価値を明確にして用途と顧客を開拓します。要素技術の完成度を高め、製造技術を確立し、信頼性を検証し、製造歩留まりを高めます。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「研究開発におけるオープンモードとステルスモード」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


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次世代メモリを考案してから製品化まで。研究開発の道のりを解説しています。
短くても5年~10年、長ければ15年はかかると言われております。長いです。


そして研究開発のスタイルには、オープンモードとステルスモードがあります。
これについても説明しております。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。「インテルが始まったころ」第19回、「1977年の業績概要」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

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インテルの創業期を1年ずつ振り返るシリーズの第19回です。今回から1977年に入ります。

最初は業績の概要です。1976年に続き、1977年もかなり好調です。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「メモリ技術のシリーズ第4回:次世代メモリの「理想と現実」」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

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理想のメモリ像から次世代メモリを論じています。
理想のメモリ(DRAMNANDフラッシュメモリのいいとこ取り)は技術的には実現が困難です。まず不可能でしょう。


そこで妥協案としての現実的なメモリが登場します。
その基本的な立ち位置は、「DRAMよりも遅いけれども、アクセスがNANDフラッシュメモリよりもずっと速い不揮発性メモリ」です。



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