Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。多層配線工程の中間に埋め込む不揮発性メモリ技術(前編)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp


多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術(前編) (1/2) - EE Times Japan


埋め込み不揮発性メモリの解説シリーズです。フラッシュメモリ編が前回で完了しました。

今回は多層配線工程の中間に記憶素子を埋め込むタイプの不揮発性メモリ技術を解説します。

その前編です。このタイプの不揮発性メモリはセル選択スイッチのMOS FET1個と記憶素子1個でメモリセルを構成します。

スプリットゲート型フラッシュメモリが1.5トランジスタなので、密度では優位とは言えません。

しかしセル選択用MOS FETの構造がCMOSロジックと基本的には変わらないので、微細化がしやすいという特徴があります。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。VLSIシンポジウムの概要と注目講演のプレビューです

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

半導体研究開発コミュニティの恒例行事、6月に開催予定のVLSIシンポジウムのプログラムが公表されるとともに、17日に記者説明会が開催されました。そこでVLSIシンポジウムのプレビューを書いております。

pc.watch.impress.co.jp


【福田昭のセミコン業界最前線】6月開催予定のVLSIシンポジウム、次世代のトランジスタ技術とMRAM技術に注目 - PC Watch


注目講演は、技術委員会が選んで記者説明会で発表したものではなく、筆者の独自見解によるものです。
プログラムが4月7日ころには公表されていたので、17日の説明会の前日にはプログラム全文を読了して注目講演の一覧表を作成してあります。

あとはなんというか、記者説明会で答え合わせをする感じでしょうか。
学会の論文選考委員と商業メディアのライターでは当然ですが、視点が違います。ですから、選ぶ論文も違います。
どちらが正しいとか、不適切だとかということはありません。


バイス技術では5nm以下のトランジスタ技術、回路技術では次々世代の磁気メモリ(MRAM)技術に、個人的には注目しております。


お手すきのときのでも、眺めていただけると助かります。

コラム「デバイス通信」を更新。「シリコンフォトニクス」とは何か

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。


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シリコンフォトニクスとは何か (1/2) - EE Times Japan


シリコンフォトニクスの解説シリーズ。その第3回です。
やっと「シリコンフォトニクス」が登場しました。お待たせしました。


200ミリや300ミリのシリコンウエハーで光電子集積回路を大量に製造することが、シリコンフォトニクスの最大の狙いです。
つまり「安く作ること」です。

光回路をシリコンで作る技術がどんどん進化しています。
作れないのは、発光素子(半導体レーザー)くらいでしょうか。


詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。半導体産業で信じられている言説は、本当なのか

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp

【福田昭のセミコン業界最前線】半導体産業で信じられている言説の「虚実」を暴く - PC Watch


半導体産業ではいろいろな事が言われているのですが。
その中でいくつかの言説に、設計ツール大手ベンダーのCEOをつとめるWalden C. Rhines氏が疑問を呈しています。

Rhines氏の講演の上手さには定評があります。
今回も、証拠となるデータを引き合いに出しており、とても分かりやすい内容の講演でした。

ざっくり言ってしまうと「統合化」対「専門化(あるいは特化)」の構図です。
半導体産業は一見すると統合化しつつあるように見えるけれども。それは間違い。
実際には専門化(特化)あるいは最適化を繰り返してきているというのが論旨です。


講演のすべてを網羅してなおかつ情報を整理することは困難でした。
講演内容の8割くらいをご紹介しておりますが、それでも想定を超えた長さ(文字数)となっております。


かなり深くまで突っ込んでおりますので、じっくりと味わっていただくことをおすすめします。

コラム「ストレージ通信」を更新。埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ回です

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


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車載用埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ (1/2) - EE Times Japan


これまでご紹介してきた埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ回です。

フラッシュメモリCMOSロジックに埋め込むためには、プロセスの互換性をなるべく維持する必要があります。

そのために埋め込みフラッシュメモリは、フラッシュメモリ本来の良さである「高い記憶密度」がかなり失われてしまう。

言い換えると、微細化が遅れる。CMOSロジックの5年くらい後を付いていくイメージです。しかも微細化が、限界に突き当たりつつある。今のところ、CMOSロジックのFinFETプロセスに対応してきたのは、ルネサス エレクトロニクスのSG-MONOSだけです。そうなると将来、埋め込みフラッシュの大容量化ではルネサスが優位に立つということになります。


詳しくは、記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。データセンターにおける光通信と電気通信の境界

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。


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電気通信と光通信の境界 (1/3) - EE Times Japan


シリコンフォトニクス技術の解説シリーズ、その第2回です。
データセンターにおける電気通信と光通信光ファイバ通信)の帯域向上トレンドと、両者の境界について説明しております。


お手すきのときでも、眺めていただけるとうれしいです。


光ファイバ通信入門 改訂5版

光ファイバ通信入門 改訂5版

こちらは自分が大学院のときに光ファイバ通信の授業で使われた教科書です。といってもずっと古い版(たぶん第2版)だったと思います。
授業の講師は末松先生でした。共著の伊賀先生ともども、日本の光ファイバ通信技術では重鎮と呼ばれる先生です。