Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリ(ReRAM)の開発ベンチャー」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp


抵抗変化メモリ(ReRAM)の動向に関する解説の第2回です。開発ベンチャーの動向を主に説明しております。
末尾は主なメモリの製造コスト(記憶容量当たり)見通しです。


詳しくは記事をお読みくださいませ。お役に立てれば幸いです。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「大規模集積回路の時代に突入したカーボンナノチューブ【後編】 ~VLSIシンポジウムから」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を続けて更新しました。


pc.watch.impress.co.jp


カーボンナノチューブを使ったトランジスタによる次世代集積回路の研究開発、その後編です。
VLSIシンポジウムで発表された2件の研究成果(いずれもMITによるもの)をご紹介しております。



お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「大規模集積回路の時代に突入したカーボンナノチューブ【前編】 ~20年を超える研究史を振り返る」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


pc.watch.impress.co.jp


カーボンナノチューブ(CNT)を使ったトランジスタによるデジタル回路が、ついに数千個のトランジスタを集積するまでに進化しました。
大規模集積回路LSI)時代の始まりです。


そこでカーボンナノチューブの発見から現在に至るまでの、研究開発の歴史を簡単に振り返っております。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。



コラム「ストレージ通信」を更新。「クロスポイント化に期待がかかる抵抗変化メモリ(ReRAM)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp


抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶原理と長所、将来性を簡単に解説しております。


お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を続けて更新。「磁気抵抗メモリ(MRAM)の技術動向と製品動向」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を続けて更新しました。


eetimes.jp


MRAMの解説、後編となります。技術動向と製品動向です。

製品動向では埋め込みメモリがフラッシュの置き換えで盛り上がっております。
対する単体メモリ(スタンドアロンメモリ)はあまり元気がないです。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp


PCM、MRAM、ReRAMと続く次世代不揮発性メモリ解説のMRAM編(前編)となります。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。