Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「3D NANDフラッシュメモリの開発動向をISSCCから解説」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


pc.watch.impress.co.jp


2月後半に開催された国際学会ISSCCなどから、3D NANDフラッシュメモリの開発動向を解説しております。

ISSCCで目立っていたのは東芝-WD連合の発表でした。2種類の3D NANDフラッシュメモリを発表して気を吐いておりました。
1件の開発成果は、1.33Tbit/ダイと過去最大の記憶容量を更新したチップ。
もう1件の開発成果は、ワード線の積層数を過去最多の128層に増やしたチップです。


一方でNANDフラッシュメモリ最大手のSamsungは「第6世代(V6)」の3D NANDフラッシュメモリ技術を発表したのですが。
この内容がかなり抽象的で、戸惑いました。昨年のフラッシュメモリサミットへの不参加といい、最近のSamsungによるNANDフラッシュメモリへのスタンスはちょっと変です。


詳しくは記事をお読みくださいませ。筆者が喜びます。

コラム「ストレージ通信」を更新。「新シリーズ開始:現行世代メモリと次世代メモリの技術動向」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
新シリーズ「半導体メモリ技術を総ざらい」を始めます。

eetimes.jp


現行世代のメモリ、具体的にはDRAMNANDフラッシュメモリの技術動向を解説します。
そして次世代メモリの必要性を説明します。
さらに、研究開発が進んでいる次世代メモリのいくつかを取り上げ、その技術概要と開発動向を述べていきます。


ご期待くださいませ。

コラム「デバイス通信」を更新。「インテルが始まったころ」第15回、「最高経営責任者(CEO)が初めて交代」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。


eetimes.jp


インテルの創業期を振り返るシリーズの第15回です。
1975年の第3回でもあります。


1975年に起きた大きな出来事の1つに、経営チームの変更があります。
創業以来、最高経営責任者(CEO)および社長をつとめてきたのは、共同創業者のロバート・ノイス氏でした。
それが1975年4月から、同じく共同創業者のゴードン・ムーア氏がCEO兼社長に就任しました。
ノイス氏は取締役会の会長となりました。
そしてアンドリュー・グローブ氏(後にCEOとなる)が最上級副社長(エグゼクティブ・バイス・プレジデント)に昇格しました。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IntelがISSCCで発表した埋め込み不揮発性メモリ技術」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp


Intelが国際学会ISSCCで発表した埋め込みReRAM技術と埋め込みMRAM技術の解説記事です。
埋め込みReRAMはまだ開発途中の技術です。
埋め込みMRAMは開発が完了しており、量産が可能な段階にあります。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。「インテルが始まったころ」第14回、「マレーシア工場が火災でほぼ全焼」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
2月13日以来の更新となります。海外出張があったため、更新間隔が空きました。

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インテルの創業期を振り返るシリーズの第14回です。1975年の第2回でもあります。
1975年はインテルの成長にブレーキがかかった年なのですが。

マレーシアのペナンにあるパッケージング工場が火災でほぼ全焼するという、災難に見舞われた年でもありました。
幸いにして出火当時、工場には誰もいなかったため、火災による死傷者はゼロでした。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「ストレージ通信」を更新。「HDD大手Seagate Technologyの四半期業績(2018年10月~12月期)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

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これも恒例となりつつある、HDD大手Seagate Technologyの四半期業績です。
2018年10月~12月期の業績をご紹介しております。


お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。