Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IEDM 2018に続出した最新のMRAM技術」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp


【福田昭のセミコン業界最前線】Samsung/GF/Intel/東北大学が明らかにしたMRAMの最新技術 - PC Watch


サンフランシスコで開催された国際学会IEDMから、埋め込みMRAM(磁気抵抗メモリ)技術に関する主な発表をまとめて解説しております。

Samsung Electronics
GLOBALFOUNDRIES (GF)
Intel
東北大学東京エレクトロンアドバンテストの共同研究グループ

以上4者の発表です。


SamsungとGFの発表は製品レベルでした。
Intelの発表は、製品になるにはあと少し、という感じです。
東北大学グループは・・・大学で128Mbitのシリコンダイを作ってしまうということ自体がすごいです。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけると筆者が喜びます。

コラム「ストレージ通信」を更新。3D NANDフラッシュのシリーズを再開。「ペア薄膜によるスケーリング」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

中断しておりました、3D NANDフラッシュメモリの製造技術に関するシリーズを再開です。

eetimes.jp


3D NANDの高密度化を支えるペア薄膜のスケーリング手法 - EE Times Japan


今回から、3D NANDフラッシュの高密度化手法について解説していきます。

最初は王道である、ペア薄膜の積層数(ペア数)の増加による高密度化です。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。シリーズ「インテルが始まったころ」第5回(1971年の後編)

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。


eetimes.jp


Intelの創業4年目(後編)、最終損益が黒字に転換 (1/2) - EE Times Japan


インテルの創業期を振り返るシリーズの第5回です。
創業4年目の1971年を振り返っております。その後編です。

前編はこちらとなります。

eetimes.jp


製品売り上げが2年で約25倍と「ロケット打ち上げ」のように急上昇しています。

セカンドソース品を製造する企業への技術供与によって特別収入があり、最終損益が初めて黒字に転換しました。

営業損益はまだ赤字ですが、来年は初めての営業黒字となりそうな勢いです。


詳しくは記事をお読みいただけると幸いです。

国際学会IEDMの現地レポート。SK Hynixが「3D XPointメモリ」のセカンドソース(?)を開発

PC Watch様に、国際学会IEDMの現地レポートを掲載していただいております。

pc.watch.impress.co.jp

【イベントレポート】3次元クロスポイント構造で128Gbitの大容量不揮発性メモリをSK Hynixが開発 - PC Watch


SK Hynixが2層の3次元クロスポイント構造で128Gbitの大容量不揮発性メモリを開発しました。
記憶容量はIntel-Micronの3D XPointメモリと同じであり、性能はかなり近そうで。これはセカンドソースになるかも(爆)!

そこで突発的に思いついたタイトルが「3D XPointメモリのセカンドソース(?)」。
でもふざけすぎかなと思って、オーソドックスなタイトルに変更しております。


お手すきのときにでも、記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「セミコン業界最前線」を更新。微細化に頼らずに大容量化・高密度化を進める次世代DRAM技術

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

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【福田昭のセミコン業界最前線】微細化に頼らずに大容量化を進める次世代DRAM技術 - PC Watch


国際学会IEDMから、DRAMの技術動向に関する解説記事です。
DRAMは現在、加工寸法をほとんど短くできなくなっています。微細化はほぼ限界です。
そこで加工寸法の短縮に頼らずに、記憶密度を向上する技術がいくつか開発されております。
その状況をまとめました。

要素技術としてはセルトランジスタとセルキャパシタ、セルレイアウトについて論じております。

皆さまのお役に立てればありがたいです。

IEDM 2018の現地レポートの続き。「Intelが22nm世代のロジックに埋め込むMRAM技術を開発」

国際学会IEDMの現地レポート続報をPC Watch様に掲載していただいております。

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Intelが22nm世代のロジックに埋め込むためのMRAM(磁気抵抗メモリ)技術を開発しました。
低消費電力版プロセスの「22FFL」によるロジックと混載するMRAMを想定しています。


22nm世代から28nm世代のロジックに埋め込むMRAM技術は、SamsungTSMCGLOBALFOUNDRIESも開発しています。
上記3社はこれまでに国際学会で開発成果を発表済みです。
Intelの学会発表はたぶん、今回が初めてとなります。


詳しくは記事をおよみいただけるとうれしいです。